Introduzione

La Molecular Beam Epitaxy (crescita epitassiale a fasci molecolari) è una tecnica sperimentale che ha consentito negli ultimi vent'anni di studiare i processi di crescita alla superficie di materiali e di realizzare dispositivi elettronici che richiedono caratteristiche strutturali ben precise, come profili netti di drogaggio o strati sottili di una data composizione atomica.

Per ottenere queste caratteristiche, gli elementi costituenti il materiale, che si desidera costruire, vengono depositati su di un substrato riscaldato facendo incidere su di esso fasci molecolari generati dalle celle effusive della camera.

L'analisi superficiale in situ (fattore importante per avere una crescita di alta qualità) del nuovo materiale permette di visualizzare le modalità di crescita e di monitorare l'intero processo.