|
Una giunzione p-n si costruisce mettendo in stretto contatto due semiconduttori estrinsechi, uno drogato p e l'altro n. Dal punto di vista dei portatori di carica il semiconduttore di tipo p ha prevalentemente lacune, mentre quello di tipo n ha elettroni. |
|
|
|
Il Silicio, avendo 4 e-(elettroni) di valenza, tende a formare 4 legami con gli atomi vicini. L'atomo di Boro, avendo 3 e- di valenza, forma 3 legami con il Silicio, mentre all'Arsenico, con 5 e-, avanza un elettrone. |
|
Per la presenza di portatori di carica liberi da entrambi i lati dell'interfaccia, si innesca un processo di diffusione per cui gli elettroni si spostano dal lato n al lato p, e le lacune in senso opposto, finché non si raggiunge una nuova situazione di equilibrio. Il dispositivo elettronico costituito da una giunzione pn si chiama anche diodo a giunzione. La sua proprietà più importante è quella di fungere da raddrizzatore di corrente, cioè di consentire il passaggio di corrente elettrica solo in una direzione del dispositivo e non nell'altra. Segui i link ipertestuali della pagina per vedere quali analisi si possono fare e a quali risultati possono portare. |
|
|
|
