Le applicazioni

Eterostrutture di semiconduttore 2/3


Una volta identificate le caratteristiche chimiche e strutturali dell'eterostruttura è possibile determinare le sue proprietà elettroniche.

Consideriamo separatamente i due materiali costituenti un'eterogiunzione fatta di GaAs (Arseniuro di Gallio) e InAs (Arseniuro di Indio), e osserviamo le loro bande di energia.

Bande di energia per 
l'Arseniuro di Gallio e di Indio

L'energia di gap dei due semiconduttori è diversa, e quindi se c'è un'interfaccia si ha una discontinuità nelle bande di valenza e in quelle di conduzione.

Se simuliamo l'eterostruttura come una supercella periodicamente ripetuta nello spazio di Ga-As-In, riusciamo a calcolare esattamente le bande di energia in ogni punto dell'eterostruttura e quindi le discontinuità che ci sono all'interfaccia: le bande dei due materiali si allineano in un certo modo ben preciso, che in generale dipende da come è fatta l'eterogiunzione.

Il calcolo dell'allineamento delle bande è molto importante nella determinazione delle proprietà dell'eterostruttura.